An improved zczvt-pwm dc-dc boost converter

Abstract

Keywords: ZVT; ZCT; DC-DC converters; soft switching.

1. Gi̇ri̇ş

Harika dinamik performansı, basitliği, ucuzluğu ve kontrol kolaylığı dolayısıyla PWM DCDC dönüştürücüler endüstride geniş ölçekte kullanılmaktadır [1]. PWM DC-DC dönüştürücülerde güç yoğunluğunu arttırmak ve maliyeti düşürmek için yüksek frekanslarda *

Corresponding Author/Sorumlu Yazar: e-mail/e-ileti: ysahin@yildiz.edu.tr, tel: (212) 383 58 61 639

Y. Şahin, İ. Aksoy, N.S. Tınğ / Sigma J Eng & Nat Sci 33 (4), 639-651, 2015

anahtarlama yapılmalıdır. Çünkü yüksek frekanslara çıkıldıkça endüktans, kondansatör ve transformatör boyutları ciddi oranda küçülmektedir. Fakat anahtarlama frekansı arttıkça anahtarlama kayıpları ve elektromanyetik girişim (EMI) artmaktadır. Bu olumsuzluklar ise dönüştürücünün toplam verimi ve çalışma performansını düşürmektedir. Anahtarlama kayıplarının üstesinden gelebilmek için sıfır gerilimde anahtarlama (ZVS, SGA) ve sıfır akımda anahtarlama (ZCS, SAA) teknikleri geliştirilmiştir. Sıfır gerilimde geçiş (ZVT, SGG) ile anahtarlama sağlayan ilk dönüştürücüde ana anahtar kesimdeyken, aktif bir bastırma hücresi yardımıyla önce ana anahtarın gerilimi sıfıra düşürülür ve daha sonra anahtar gerilimi sıfırda tutuluyorken iletim sinyali verilir [2]. Böylece ana anahtar ZVS yumuşak anahtarlama (SS, YA) ile iletime girmiş olur. Ayrıca bu dönüştürücüde ana diyot ZCS ile kesime girerken yardımcı anahtar seri endüktanstan ötürü ZCS ile iletime girer. Fakat bu dönüştürücüde ana anahtarın kesime girmesi yeterince iyi değildir. Bununla beraber yardımcı anahtarın kesime girmesi de sert anahtarlama(HS, SA) şeklinde gerçekleşir. Ayrıca dönüştürücünün hafif yüklerde çalışma performansı ise kötüdür. Bu sorunların üstesinden gelebilmek için birçok çalışma yapılmıştır [3-6]. Sıfır akımda geçiş (ZCT, SAG) ile anahtarlama sağlayan ilk dönüştürücüde kesime girme işlemi sırasında, aktif bir bastırma hücresi yardımıyla önce ana anahtarın içinden geçen akım sıfır seviyesine düşürülür [7]. Anahtar akımı sıfırda tutuluyorken anahtarın iletim sinyali kesilir ve anahtar SS ile kesime girmiş olur. Bu dönüştürücüde ana diyot yumuşak anahtarlama ile iletime girerken yardımcı anahtar ZCS ile iletime girer. Fakat ana anahtarın iletime girmesi ve ana diyotun kesime girmesi HS ile gerçekleşir. Ayrıca yardımcı anahtarın kesime girmesi de HS altında gerçekleşir. Son olarak, ana diyotta oluşan ters toparlanma akımları büyük kayıplara neden olur. ZCT tekniğinde ortaya çıkan bu olumsuzlukların üstesinden gelebilmek için birçok çalışma yapılmıştır [8-11]. ZVT tekniğinde iletime girme esnasında kayıpsız bir anahtarlama gerçekleştirilirken ZCT tekniğinde kesime girme esnasında kayıpsız bir anahtarlama gerçekleştirilir. Bu tekniklerdeki olumsuzlukları ortadan kaldırmak için birçok çalışma yapılmıştır. Yalnız, bu çalışmalarda sert anahtarlama, yüksek EMI, akım veya gerilim stresleri gibi birçok olumsuzluk bulunmaktadır. Ortaya çıkan tüm bu olumsuzlukları ortadan kaldırmak için en iyi çözüm ZVT ve ZCT tekniklerini bir tek hücrede bir araya getirmektir. ZVT ve ZCT tekniklerini birleştirme (ZCZVT) konusunda birçok çalışmalar mevcuttur [12-18]. [6]’da ZVT tekniğinin dezavantajlarını aşmak için yeni bir çalışma yapılmıştır. Bu çalışmada ana anahtar ZVT ile iletime girmektedir. Ayrıca ana diyot ZCS ile kesime girerken yardımcı anahtar ZCS ile iletime ve kesime girmektedir. Dönüştürücüde yardımcı anahtardaki makul akım stresi dışında hiçbir elemanda akım ya da gerilim stresi oluşmamaktadır. Fakat bu dönüştürücüde ana anahtarın kesime girmesi SS ile olmamaktadır. Bu çalışmada, kesime girme işlemi esnasında ortaya çıkan kayıplar, dönüştürücünün toplam verimini düşürdüğü gibi ısınma problemine de yol açmaktadır. Bu çalışmada [6]’da ortaya çıkan olumsuzlukların üstesinden gelebilmek için yeni bir kontrol yöntemi sunulmuştur. Kontrol yöntemi değiştirilen dönüştürücüde iletime girme aşamasında ZVT tekniğiyle anahtarlama ve kesime girme aşamasında ZCT ile anahtarlama gerçekleştirilerek ZCZVT çalışma sağlanmıştır. Bu şekilde dönüştürücüdeki olumsuzlukların önüne geçilerek dönüştürücünün toplam verimi arttırılmıştır. Sunulan dönüştürücü Şekil 1’de gösterilmektedir.

An Improved ZCZVT-PWM DC-DC Boost Converter / Sigma J Eng & Nat Sci 33 (4), 639-651, 2015

2. Dönüştürücü Çalişma Araliklari

Şekil 1’de sunulan dönüştürücüde Vi, giriş gerilimi, LF, ana endüktans, S1, ana anahtar, D1, ana anahtarın dahili diyotu, Cp, ana anahtarın parazitik kondansatörü ve ona eklenen diğer parazitik kondansatörlerin toplamı, DF, ana diyot ve CF, çıkış filtre kondansatörüdür. Bastırma hücresinde ise S2, yardımcı anahtar, La ve Lb, bastırma endüktansları, Cs, bastırma kondansatörü, D2 ve D3 ise yardımcı diyotlardır. Teorik analizi kolaylaştırmak için aşağıdaki varsayımlarda bulunulmuştur. a) Giriş gerilimi Vi sabittir b) CF kondansatörü çıkış gerilimini sabit tutacak kadar büyüktür. c) LF endüktansı giriş akımını sabit tutacak kadar büyüktür. d) Tüm yarıiletken elemanlar idealdir. Dönüştürücünün bir periyot çalışmasında toplam on iki aralık bulunmaktadır. Bu aralıklara dair eşdeğer devreler Şekil 2’de verilmiştir. Dalga şekilleri ise Şekil 3’te verilmiştir. Aralık 1 (t0<t<t1) [a] t<t0 anında S1 ana anahtarı ve S2 yardımcı anahtarı kesimdedir. DF ana diyotu giriş akımını geçirmektedir. Parazitik kondansatör çıkış gerilimine şarj olmuştur ve bastırma kondansatörü tamamen deşarj olmuştur. t=t0 anında S2 yardımcı anahtarının iletim sinyali verilmesiyle bu aralık başlar ve La-Lb-Cs arasında bir rezonans oluşur. S2 yardımcı anahtarının akımı artarken DF ana diyotunun akımı azalır. t=t1 anında Lb alt bastırma endüktansının akımı giriş akımı seviyesine ulaştığında ana diyotun akımı sıfır seviyesine düşer ve aralık sona erer. S2 yardımcı anahtarı seri bağlı La ve Lb endüktanslarından dolayı ZCS ile iletime girerken DF ana diyotu rezonanstan dolayı ZCS ile kesime girer. Tüm aralıklar boyunca S2 yardımcı anahtarının akımının Lb bastırma endüktansı akımına eşittir. sin

Y. Şahin, İ. Aksoy, N.S. Tınğ / Sigma J Eng & Nat Sci 33 (4), 639-651, 2015

(1.6) (1.7) Aralık 2 (t1<t<t2) [b] t=t1 anında DF ana diyotunun kesime girmesiyle başlayan bu aralıkta parazitik kondansatör Cp ile bastırma hücresi arasında Cp-La-Lb-Cs yollu yeni bir rezonans başlar. Cp kondansatörü tüm enerjisini bastırma hücresine aktardığında VCp =0 olur ve S1 ana anahtarının dahili diyotu D1 iletime girer. t=t2 anında D1 diyotunun iletime girmesiyle bu aralık sona erer. (1. 8) (1. 9) (1. 10) (1. 11) Aralık 3 (t2<t<t4) [c] t=t2 anında D1 diyotunun iletime girmesiyle başlayan bu aralıkta bastırma hücresindeki La-LbCs yollu rezonans devam eder. Bu esnada D1 diyotu giriş akımının üstündeki akımı geçirir. D1 diyotunun iletimde olduğu bu aralığa ZVT aralığı denir ve bu aralığın ortalarında S1 ana anahtarının iletim sinyali verilir. Böylece ana anahtar ZVT ile kayıpsız bir şekilde iletime girer. Lb alt bastırma endüktansının akımı azalıp t=t3 anında giriş akımı seviyesine düştüğünde D1 diyotu kesime girer. D1 diyotunun kesime girmesiyle ana anahtar akımı artmaya başlar ve Lb endüktasının akımı azalmaya devam eder. t=t4 anında ana anahtar akımı giriş seviyesine ulaşınca alt bastırma endüktansın akımı sıfıra seviyesine düşer ve bu aralık sona erer. 1

Burada, (1.15) (1.16) Aralık 4 (t4<t<t5) [d] t=t4 anında S1 ana anahtarı akımının giriş akımı seviyesine ulaşmasıyla bu aralık başlar. S2 yardımcı anahtarının akımı ZCS ile sıfır düştüğü için bu aralıkta S2 anahtarının iletim sinyali

An Improved ZCZVT-PWM DC-DC Boost Converter / Sigma J Eng & Nat Sci 33 (4), 639-651, 2015

kesilir. La üst bastırma endüktansında biriken enerji ise La-D3-Cs yollu rezonans ile Cs kondansatörüne aktarılır. t=t5 anında Cs kondansatörünün geriliminin maksimum seviyeye ulaşmasıyla bu aralık sona erer. cos

Burada, (1.19) (1.20) (1.21) Aralık 5 (t5<t<t6) [e] Aralık boyunca S1 ana anahtarı giriş akımını geçirir. Klasik PWM iletim aralığı. (1.22) Aralık 6 (t6<t<t8) [f] t=t6 anında S2 yardımcı anahtarının iletim sinyalinin verilmesiyle bu aralık başlar. Cs bastırma kondansatörü ile alt bastırma endüktansı Lb arasında bir rezonans başlar. Lb endüktansının akımı artarken S1 ana anahtarının akımı azalır. t=t7 anında Lb bastırma endüktansının akımı giriş akımı seviyesine ulaşınca ana anahtarın akımı sıfıra düşer ve D1 diyotu iletime girer. D1 diyotunun giriş akımının üstünde kalan akımı geçirdiği bu aralığa ZCT aralığı denir ve bu aralığın ortalarında ana anahtarının iletim sinyali kesilir. Böylece S1 ana anahtarı ZCT ile kayıpsız bir şekilde kesime girer. t=t8 anında Cs kondansatörünün geriliminin sıfıra düşmesiyle Lb endüktansının akımı maksimum seviyeye ulaşır ve aralık sona erer. sin

Burada, (1.26) (1.27) Aralık 7 (t8<t<t9) [g] t=t8 anında Cs bastırma kondansatörünün geriliminin pozitif olmaya başlamasıyla birlikte D2 diyotu iletime girer ve La-Lb-Cs-S2-D1 yollu bir rezonans başlar. t=t9 anında Lb endüktansının akımının giriş akımı seviyesine düşmesiyle D1 diyotu kesime girer ve aralık sona erer. 1

Y. Şahin, İ. Aksoy, N.S. Tınğ / Sigma J Eng & Nat Sci 33 (4), 639-651, 2015

An Improved ZCZVT-PWM DC-DC Boost Converter / Sigma J Eng & Nat Sci 33 (4), 639-651, 2015

Aralık 8 (t9<t<t10) [h] t=t9 anında D1 diyotunun kesime girmesiyle başlayan bu aralıkta sabit giriş akımı altında CpLa-Lb-Cs yollu yeni bir rezonans oluşur. Aralık boyunca Lb alt bastırma endüktansının akımı azalır ve t=t10 da sıfır seviyesine düşer. S2 yardımcı anahtarından geçen akım sıfır seviyesine düşünce bu anahtarın iletim sinyali kesilir. Böylece yardımcı anahtar ZCS ile kesime girmesiyle bu aralık sona erer. (1.31) (1.32) (1.33) (1.34) Aralık 9 (t10<t<t11) [i] t=t10 anında S2 yardımcı anahtarının kesime girmesiyle başlayan bu aralıkta iki kapalı devre oluşur. Cp parazitik kondansatörü sabit giriş akımı ile lineer bir şekilde şarj olurken La bastırma endüktansında biriken enerji Cs kondansatörüne aktarılır. t=t11 anında Cp kondansatörü gerilimi ile Cs kondansatörü gerilimleri toplamı çıkış gerilimine şarj olunca bu aralık sona erer. cos Z IL

Aralık 10 (t11<t<12) [j] t=t11 anında D3 diyotunun iletime girmesiyle başlayan bu aralıkta sabit giriş akımı altında CpLa-Cs yollu bir rezonans oluşur. La bastırma endüktansındaki enerjinin tamamı t=t12 anında Cs kondansatörü ve çıkışa aktarılınca aralık sona erer. cos sin

Aralık 11 (t12<t<t13) [k] t=t12 anında La bastırma endüktansının akımının sıfır seviyesine düşmesiyle başlayan bu aralıkta Cp parazitik kondansatörü sabit giriş akımı altında lineer bir şekilde şarj olurken Cs bastırma kondansatörü lineer bir şekilde deşarj olur. t=t13 anında Cp kondansatörü gerilimi çıkış gerilimi seviyesine ulaşınca Cs kondansatörü gerilimi sıfır seviyesine düşer ve DF ana diyotu iletime girer. (1.42)

Y. Şahin, İ. Aksoy, N.S. Tınğ / Sigma J Eng & Nat Sci 33 (4), 639-651, 2015

Aralık 12 (t13<t<t14=t0) [l] t=t14 anında DF ana diyotunun iletime girmesiyle başlayan bu aralıkta giriş akımı DF üzerinden çıkışa aktarılır. Bu aralık klasik PWM kesim aralığıdır. Böylece başlangıç koşullarına dönülmüş olur. Bir sonraki periyotta anlatılan aralıklar tekrar eder. (1.43)

An Improved ZCZVT-PWM DC-DC Boost Converter / Sigma J Eng & Nat Sci 33 (4), 639-651, 2015

3. Tasarim Kri̇terleri̇

1- Cp parazitik kondansatörü ana anahtarın parazitik kondansatörü ve ona katılan diğer parazitik kondansatörün toplamından oluşmaktadır. Bu değer de yaklaşık olarak 1-2 nF civarındadır. Bu sebeple ekstra bir parazitik kondansatöre ihtiyaç yoktur. 2- Lb bastırma endüktansı, yardımcı S2 anahtarının iletime girme aşamasında ZCS ile yumuşak bir şekilde iletime sokacak bir değerde seçilmelidir. Bu değer belirlenirken S2 anahtarının iletime girme süresi tr referans alınır. (1.44) Buna paralel olarak S2 yardımcı anahtarının ZCS ile kesime girebilmesi için La üst bastırma endüktansı değerinin Lb alt endükansı değerinden en az iki katına eşit veya büyük olması gerekir. 2

Lb endüktansı değeri 3 µH olarak belirlenirse La endüktansı değeri de 6 µH olur.

4. Deneysel Sonuçlar

Sunulan ZCZVT PWM DC-DC dönüştürücünün laboratuar ortamında 500 W gücünde ve 100 kHz anahtarlama frekansında bir prototipi yapılarak deneysel veriler elde edilmiştir. Ayrıca PROTEUS programında dönüştürücünün simülasyonu yapılmış ve dalga şekilleri elde edilmiştir. Daha sonra Şekil 5 ile Şekil 10 arasındaki osilogramlarda deneysel sonuçlar ile simülasyon sonuçları verilmiş ve tüm dalga şekillerinin birebir uyuştuğu gösterilmiştir.

Şekil 4. Prototip 500 W ve 100 kHz için deneysel devre Sunulan dönüştürücünün laboratuar ortamında uygulanan prototipinin eşdeğer devresi Şekil 4’te verilmiştir. Şekil 5’de ana anahtarın simülasyon akım ve gerilim dalga şekilleri görülürken Şekil 6’da deneysel olarak elde edilen dalga şekilleri görülmektedir. Her iki gösterimde de dalga şekillerinin tamamıyla uyuştuğu görülebilmektedir. Dalga şekillerinden, ana anahtarın ZVT ile iletime girdiği ve ZCT ile kesime girdiği görülebilir. Ayrıca ana anahtarda ilave akım ve gerilim stresi oluşmamaktadır.

Y. Şahin, İ. Aksoy, N.S. Tınğ / Sigma J Eng & Nat Sci 33 (4), 639-651, 2015

Şekil 5. Simülasyonda ana anahtarın akımı ve gerilimi. 100 V/kare, 5 A/kare ve 1 µs/kare değerlerinde

Şekil 6. Deneysel sonuçlarda ana anahtarın akımı ve gerilimi. 200 V/kare, 10 A/kare ve 1 µs/kare değerlerinde Şekil 7’de ana diyotun simülasyon akım ve gerilim dalga şekilleri görülürken Şekil 8’de deneysel olarak elde edilen dalga şekilleri görülmektedir. Şekillerden ana diyotun ZCS ile kesime girdiği ve ZVS ile iletime girdiği kolaylıkla görülebilir. Ayrıca ana diyotta ilave akım yada gerilim stresi oluşmamaktadır. Simülasyon ve deneysel sonuçlar bütünüyle uyuşmaktadır.

Şekil 7. Simülasyonda ana diyotun akımı ve gerilimi. 100 V/kare, 5 A/kare ve 1 µs/kare değerlerinde

Şekil 8. Deneysel sonuçlarda ana diyotun akımı ve gerilimi. 200 V/kare, 10 A/kare ve 1 µs/kare değerlerinde 648

An Improved ZCZVT-PWM DC-DC Boost Converter / Sigma J Eng & Nat Sci 33 (4), 639-651, 2015

Şekil 9’da yardımcı anahtarın simülasyon akım ve gerilim dalga şekilleri görülürken Şekil 10’da deneysel olarak elde edilen dalga şekilleri görülmektedir. Şekillerden yardımcı anahtarın ZCS ile iletime ve kesime girdiği görülmektedir. Ayrıca yardımcı anahtarda ilave gerilim stresi olmadığı görülmektedir. Anahtardaki akım stresi ise oldukça makul bir seviyededir. Şekillerden görüleceği gibi simülasyon ve deneysel dalga şekilleri oldukça yakın sonuçlar vermiştir.

Şekil 9. Simülasyonda yardımcı anahtarın akımı ve gerilimi. 100 V/kare, 5 A/kare ve 1 µs/kare değerlerinde

Şekil 10. Deneysel sonuçlar yardımcı anahtarın akımı ve gerilimi. 200 V/kare, 10 A/kare ve 1 µs/kare değerlerinde Dönüştürücünün deneysel prototipinden alınan sonuçlardan elde edilen maksimum verim %98.3 değerindedir. 500 W ve 100 kHz değerlerindeki verim eğrisi Şekil 11’de gösterilmiştir. Şekilde hem sert anahtarlama hem de yumuşak anahtarlama değişimleri gösterilmiştir.

Şekil 11. Sert anahtarlama ve yumuşak anahtarlama verim eğrisi

5. Dönüştürücünün Özelli̇kleri̇

Sunulan ZCZVT PWM DC-DC dönüştürücü ZVT ve ZCT bastırma hücrelerini tek bir bastırma hücresinde bir araya getirirken her iki çalışmanın avantajlarını sağlamış ve dezavantajlarını ise elimine etmiştir. Sunulan dönüştürücünün özellikleri şöyledir.

Y. Şahin, İ. Aksoy, N.S. Tınğ / Sigma J Eng & Nat Sci 33 (4), 639-651, 2015

1- Ana anahtar ZVT ile iletime ve ZCT ile kesime girer. 2- Ana diyot ZCS ile kesime girerken ZVS ile iletime girer. 3- Yardımcı anahtar ZCS ile iletime ve kesime girer. 4- Dönüştürücüdeki diğer yardımcı elemanlar yumuşak anahtarlanır. 5- Ana anahtarda ilave akım ya da gerilim stresi oluşmaz. 6- Ana diyotta ilave akım ya da gerilim stresi oluşmaz 7- Yardımcı anahtarda ilave gerilim stresi oluşmaz ve akım stresi ise makul bir seviyededir. 8- Dönüştürücü geniş bir yük aralığında yumuşak anahtarlamayı sağlar. Bastırma hücresi hafif yük koşullarında bile ZVT ile iletime girmeyi ve ZCT ile kesime girmeyi sağlar. 9- Dönüştürücü yüksek frekanslarda bile normal PWM çalışmayı sürdürür. 10- Geçici rejim aralıkları periyodun çok küçük bir kısmında gerçekleşir. Sirkülasyon enerjisi ise oldukça düşük seviyelerdedir. 11- Ana anahtar ve yardımcı anahtarın ortak emitterli olması kontrolü kolaylaştıran bir unsurdur. 12- Daha önce yapılmış çalışmalara nazaran basit ve ucuz olan bu dönüştürücü oldukça az eleman ile ZVT ve ZCT çalışmanın istenilen özellikleri bir tek bastırma hücresinde birleştirilmiştir. 13- Sunulan dönüştürücü diğer DC-DC dönüştürücülere kolaylıkla uygulanabilir. 14- Bastırma hücresi ekstra pasif bastırma hücrelerine ihtiyaç duymaz.

6. Sonuç

Bu çalışmada aktif bastırma hücresine sahip geliştirilmiş ZCZVT PWM DC-DC yükseltici bir dönüştürücü sunulmuştur. Dönüştürücü kendisinden önceki ZVT ve ZCT dönüştürücülerin istenilen özelliklerini taşırken bu dönüştürücülerin dezavantajlarının ise üstesinden gelmektedir. Sunulan dönüştürücüdeki bastırma hücresi periyodun çok küçük bir kısmında çalışarak ana anahtarın kayıpsız bir şekilde ZVT ile iletime ve ZCT ile kesime girmesini sağlamaktadır. Ayrıca ana diyotun ZCS ile kesime girmesini ve ZVS ile iletime girmesini sağlamakta ve diyotun ters toparlanma kayıplarını minimize etmektedir. Bir yumuşak anahtarlama hücresinden beklenen tüm bu özellikleri sağlarken ana elemanlarda hiçbir akım ya da gerilim stresi oluşturmamaktadır. Yardımcı anahtarda gerilim stresi oluşmazken bu anahtar ZCS ile iletime ve kesime girmektedir. Ayrıca yardımcı anahtarda oluşan akım stresi oldukça makul seviyededir. Diğer yardımcı elemanların hepsi yumuşak bir şekilde anahtarlanırken hiç birinde akım ya da gerilim stresi oluşmamaktadır. Sunulan ZCZVT PWM DC-DC dönüştürücünün öne çıkan en önemli özelliği dönüştürücüdeki tüm elemanların yumuşak iletime ve kesime girmesiyle beraber yardımcı anahtardaki makul akım stresi dışında hiç bir elemanda akım yada gerilim stresi oluşmamasıdır. Böylece PWM çalışma ile rezonansın istenilen özelliklerini bir araya getiren ve istenmeyen taraflarının üstesinden gelen geliştirilmiş bir ZCZVT PWM DC-DC dönüştürücü sunulmuştur. REFERENCES / KAYNAKLAR [1] [2] [3]

H. Bodur. and A. F. Bakan, “A New ZVT-PWM DC–DC Converter” IEEE Trans. Power Electron., Vol. 17, no. 1, pp. 40,-47, Jan. 2002. H. Guichao, C. S. Leu, Y. Jiang and F. C. Y. Lee, “Novel Zero-Voltage-Transition PWM Converters” IEEE Trans. Power Electron., Vol. 9, no. 2, pp. 213-219, Marc. 1994. S. H. Park, S. R. Park, J. S. Yu and others, “Analysis and Design of a Soft-Switching Boost Converter With an HI-Bridge Auxiliary Resonant Circuit” IEEE Trans. Power Electron., Vol. 25, no. 8, pp. 2142-2149, Aug. 2010.

An Improved ZCZVT-PWM DC-DC Boost Converter / Sigma J Eng & Nat Sci 33 (4), 639-651, 2015

N. Jain, P. K. Jain and G. Joos, “A Zero Voltage Transition Boost Converter Employing a Soft Switching Auxiliary Circuit With Reduced Conduction Losses” IEEE Trans. Power Electron., Vol. 29, no. 1, pp. 130-139, Jan. 2004. R. Gurunathan and A. K. S. Bhat, “A Zero-Voltage Transition Boost Converter Using a Zero-Voltage Switching Auxiliary Circuit” IEEE Trans. Power Electron., Vol. 17, no. 5, pp. 658-668, Sep. 2002. W. Huang, X. Gao, S. Bassan and G. Moschopoulos, “Novel dual auxiliary circuits for ZVT-PWM converter” Can. J. Elect. Comp. Eng., Vol. 33, no. ¾, Summer/Fall 2008 G. Hua, E. X. Yang, Y. Jiang, F. C. Lee “Novel Zero-Current-Transition PWM Converters” IEEE Trans. Power Electron., Vol. 9, no. 6, pp. 601-606, Nov. 1994. H. Bodur and A. F. Bakan “An Improved ZCT-PWM DC–DC Converter for High-Power and Frequency Applications” IEEE Tans. Ind. Electron. Vol. 51, no. 1, pp. 89-95, Feb. 2004. E. Adib and H. Fazenahfard “Family of Zero-Current Transition PWM Converters” IEEE Tans. Ind. Electron. Vol. 55, no. 8, pp. 3055-3063, Aug. 2008 P. Das and G. Moschopoulos “A Comparative Study of Zero-Current-Transition PWM Converters” IEEE Tans. Ind. Electron. Vol. 54, no. 3, pp. 1319-1328, Jun. 2007 D. Y. Lee, M. K. Lee, D.S. Hyun and I. Choy “New Zero-Current-Transition PWM DC/DC Converters Without Current Stress” IEEE Trans. Power Electron., Vol. 18, no. 1, pp. 95-104, Jan. 2003. H. Bodur and A. F. Bakan “A New ZVT–ZCT–PWM DC–DC Converter” IEEE Trans. Power Electron., Vol. 19, no. 3, pp. 676-684, May. 2004. B. Akın and H. Bodur “A New Single-Phase Soft-Switching Power Factor Correction Converter” IEEE Trans. Power Electron., Vol. 22, no. 2, pp. 436-443, Feb. 2011. C. M. O. Stein and H. L. Hey “A True ZCZVT Commutation Cell for PWM Converters” IEEE Trans. Power Electron., Vol. 15, no. 1, pp. 185-193, Jan. 2000. S. P. Yang, J.L. Lin, and J.S. Chen, “A Novel ZCZVT Forward Converter With Synchronous Rectification,” IEEE Trans. Power Electron., Vol. 21, no. 4, pp. 912-922, Jul. 2006. I. Aksoy, H. Bodur and A. F. Bakan, “A New ZVT-ZCT PWM DC-DC Converter,” IEEE Trans. Power Electron., Vol. 25, no. 8, pp. 2093-2105, Aug. 2010. A. F. Bakan, H. Bodur and I. Aksoy, “A Novel ZVT-ZCT PWM DC-DC Converter,” in Power Electronics and Applications (EPE 2005), Dresden, Germany, pp.1-8. J. L. Lin, J. C. Hsien and C. Yeh, “A Novel ZCZVT Soft-Switching Single-Stage Hihg Power Factor Correction Converter,” in The 2004 IEEE Asia-Pasific Conference on Circuits and Systems, Taiwan, Dec. 2004.

Share and Cite